Ключевые достижения в области управления температурным режимом для корпусов высокопроизводительных чипов искусственного интеллекта

2026,01,23

С быстрым развитием электронных устройств в сторону миниатюризации, многофункциональности, высокого энергопотребления и повышенной надежности появилась технология трехмерной интеграции высокой плотности для микроэлектронных устройств. Однако развитие интеграции высокой плотности сдерживается повышенными температурами перехода, вызванными тепловой концентрацией внутри чипов, что значительно снижает производительность и надежность устройств.

Интегрированные чипы имеют многослойную структуру, состоящую из слоев подложки, слоев микросхемы, микросхем и холодных пластин корпуса корпуса. Холодная пластина корпуса корпуса включает в себя микроканалы, которые рассеивают тепло от микросхем слоя схемы за счет конвективной теплопередачи жидкости, обеспечивая при этом равномерное распределение температуры чипа. Гибкие термоинтерфейсные материалы (TIM) соединяют холодную пластину корпуса корпуса и слой схемы.

Материалы термоинтерфейса (TIM) являются важнейшими компонентами рассеивания тепла, которые заполняют микроскопические зазоры между поверхностями, напрямую улучшая тепловые характеристики. TIM обычно устанавливаются между чипом и крышкой корпуса (TIM1), чипом и радиатором (TIM1.5), а также крышкой корпуса и радиатором (TIM2). Высокая теплопроводность и надежность TIM обеспечивают быструю передачу тепла через интерфейсы. Преобладающий подход к управлению температурным режимом для высокопроизводительных чипов по-прежнему основан на материалах TIM1 со сверхнизким термическим сопротивлением, позволяющих быстро отводить тепло от внутренней части чипа к корпусу корпуса. Затем тепло передается через материалы TIM2 на пластину жидкостного охлаждения, которая быстро рассеивает его во внешнюю среду за счет быстрого потока внутренней охлаждающей жидкости.

Кроме того, методы низкотемпературного склеивания получили широкое распространение в упаковочных процессах. Например, низкотемпературное соединение Cu-Cu стало основной технологией в современной упаковке благодаря своим преимуществам в области межсоединений высокой плотности и превосходной электро- и теплопроводности. Процесс спекания наносеребра является примером технологии низкотемпературного соединения. Он образует интерфейсы соединений с высокой теплопроводностью (250 Вт/(м·К)) при низких температурах (250°C), эффективно избегая термических повреждений, связанных с традиционными высокотемпературными процессами. Полученные соединительные структуры обладают чрезвычайно низкой пористостью, превосходной теплопроводностью и исключительной механической стабильностью, что обеспечивает надежную гарантию создания современной упаковки.

Свяжитесь с нами

Автор:

Mr. John

Электронная почта:

info@jcbdiamond.com

Phone/WhatsApp:

++86 16697772169