Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
В качестве подложек для GaN-HEMT обычно используются Si (кремний) и SiC (карбид кремния), но алмаз имеет теплопроводность примерно в 12 раз выше, чем Si, и в 4–6 раз выше, чем SiC, тем самым снижая термическое сопротивление на 1/4 и 1/2 соответственно.

На сегодняшний день сложно напрямую скрепить слои GaN без припоя или клеящих материалов из-за большого размера зерна и высокой шероховатости поверхности (5–6 нм) поликристаллического алмаза. Однако, объединив технологию полировки алмазной подложки, которая снижает шероховатость поверхности вдвое по сравнению с традиционными методами, с технологией переноса слоев GaN с подложек Si на поликристаллический алмаз, мы успешно приклеили слои GaN непосредственно к 2-дюймовому поликристаллическому алмазу.
Это демонстрирует возможность создания структур GaN на поликристаллическом алмазе и однородность их термодиссипативных характеристик.

Письмо этому поставщику
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.